Simcenter Micred T3STER ist ein moderner, nicht-destruktiver Tester für transiente Wärme zur thermischen Charakterisierung von gepackten Halbleitergeräten (Dioden, Bipolartransistoren [BJTs], Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren [MOSFETs], Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode [IGBTs], Strom-LEDs) und Multi-Die-Geräten. Er misst das wahre thermische Einschwingverhalten effizienter als stationäre Methoden. Messungen erfolgen bis auf ±0,01° C genau mit einer zeitlichen Auflösung bis zu 1 Mikrosekunde. Strukturfunktionen verarbeiten die Rückmeldungen zu einem Plot, der den thermischen Widerstand und die thermische Kapazität von Paketfeatures entlang des Wärmeflusspfads anzeigt. Simcenter Micred T3STER ist ein ideales Werkzeug zur Erkennung von Versagen vor und nach Belastungen. Die Messungen können zur Kalibrierung von Wärmemodellen exportiert werden und belegen die Genauigkeit der thermischen Konstruktion.
Schnellere Ergebnisse mit nur einem Test
Simcenter Micred T3STER ist einfach zu bedienen und schnell. Er liefert vollständig reproduzierbare Ergebnisse, sodass jeder Test nur einmal durchgeführt werden muss. Simcenter Micred T3STER testet gehäuste ICs, die nur elektrische Anschlüsse für die Stromversorgung und Sensorik verwenden, um schnelle, wiederholbare Ergebnisse zu liefern und mehrere Tests am selben Teil überflüssig zu machen. Komponenten können vor Ort getestet werden und die Testergebnisse lassen sich als kompaktes thermisches Modell oder zur Kalibrierung eines detaillierten Modells verwenden.
Testen Sie alle Arten von Halbleiterbauelementen
Praktisch alle Arten von Halbleiterbauelementen können getestet werden, von Leistungsdioden und Transistoren bis hin zu großen und hochkomplexen digitalen ICs, einschließlich Teilen, die auf einer Platine montiert und sogar in ein Produkt gepackt sind.
Einfach ausgedrückt wird ein Leistungsimpuls in das Bauteil eingespeist und sein Temperaturverhalten sehr zeitgenau aufgezeichnet. Der Halbleiter selbst wird sowohl zur Stromversorgung des Teils als auch zur Messung der Temperaturantwort mithilfe eines temperaturempfindlichen Parameters auf der Die-Oberfläche, wie z. B. einer Transistor- oder Diodenstruktur, verwendet.
Greifen Sie auf zuverlässige Software zu
Die mit Simcenter Micred T3STER bereitgestellte Software trägt zu einem erheblichen Teil zum Nutzen der Lösung bei. Das liegt daran, dass die Simcenter Micred T3STER-Software die Temperatur-Zeit-Verfolgung in eine sogenannte Strukturfunktion umwandeln kann. Diskrete Merkmale des Gehäuses, wie z. B. der Die-Attach, können in diesem Diagramm erkannt werden, was Simcenter Micred T3STER zu einem hervorragenden Diagnosewerkzeug in der Produktentwicklung macht. Das Diagramm kann auch verwendet werden, um ein detailliertes 3D-Wärmemodell in Simcenter Flotherm zu kalibrieren und ein thermisches Modell eines Chipgehäuses zu erstellen, das die Temperatur sowohl in Raum als auch in Zeit mit einer Genauigkeit von 99+ % vorhersagt.
Erzielen höherer Genauigkeit bei der Simulation der Elektronikkühlung mit Messungen und Kalibrierung
Dieses White Paper betrachtet Faktoren für eine höhere Genauigkeit bei der Modellierung des Wärmeverlustes über Leiterbahnen und Verbindungen in der Simulation. Es wird die thermische Messung eines IGBT-Moduls unter Verwendung von Simcenter T3STER und Modellkalibrierung in Verbindung mit thermischer Simulation in Simcenter Flotherm veranschaulicht.
