Simcenter Micred T3STER(트리스터)는 패키징된 반도체 장치(다이오드, BJT, 전력 MOSFET, IGBT, 전력 LED) 및 멀티다이 장치의 열 특성화를 위한 첨단 비파괴 천이 열 테스터입니다. 실제 열 천이 응답을 정상 상태 방법보다 더 효율적으로 측정합니다. 측정값은 최대 1마이크로초 시간 해상도에서 ±0.01°C입니다. 구조 함수는 열 흐름 경로를 따라 응답을 패키지 기능의 열 저항 및 정전 용량을 나타내는 플롯으로 후처리합니다. Simcenter Micred T3STER는 이상적인 응력 전 및 응력 후 고장 감지 도구입니다. 열 모델 보정을 위해 측정값을 내보낼 수 있으므로 열 설계 작업의 정확성을 뒷받침합니다.
단 한 번의 테스트로 더 빠른 결과 제공
Simcenter Micred T3STER는 사용하기 쉽고 빠릅니다. 완벽하게 재현 가능한 결과를 생성하므로 각 테스트를 한 번만 수행하면 됩니다. Simcenter Micred T3STER는 전원 공급 및 감지를 위해 전기 연결만 사용하여 패키지 IC를 테스트하므로 빠르고 반복 가능한 결과를 제공하며 동일한 파트를 대상으로 여러 테스트를 수행할 필요가 없습니다. 컴포넌트를 현장에서 테스트할 수 있으며 테스트 결과는 소형 열 모델로 사용하거나 세부 모델을 보정하는 데 사용할 수 있습니다.
모든 유형의 패키징된 반도체 테스트
전력 다이오드 및 트랜지스터부터 보드에 장착되거나 제품에 패키징되는 파트를 포함하여 매우 복잡하고 큰 디지털 IC까지 거의 모든 유형의 패키징된 반도체를 테스트할 수 있습니다.
간단히 말해서 전력 펄스가 컴포넌트에 주입되고 온도 응답이 시간에 대해 매우 정확하게 기록됩니다. 반도체 자체는 파트에 전력을 공급하고 트랜지스터 또는 다이오드 구조와 같은 다이 표면의 온도에 민감한 매개변수를 사용하여 온도 응답을 감지하는 데 사용됩니다.
우수한 소프트웨어에 액세스
Simcenter Micred T3STER와 함께 제공되는 소프트웨어는 솔루션의 많은 가치를 제공합니다. Simcenter Micred T3STER 소프트웨어가 온도 대 시간 추적을 소위 구조 함수로 변환할 수 있기 때문입니다. Simcenter Micred T3STER는 이 플롯에서 다이 부착과 같은 패키지의 개별 기능을 감지할 수 있어 제품 개발에 탁월한 진단 도구입니다. 이 플롯은 Simcenter Flotherm에서 상세한 3D 열 모델을 보정하는 데에도 사용할 수 있으며, 99% 이상의 정확도로 공간과 시간 모두에서 온도를 예측하는 칩 패키지의 열 모델을 생성할 수 있습니다.
측정 및 보정을 통해 전자 냉각 시뮬레이션의 정확도 향상
본 백서에서는 시뮬레이션 내에서 트레이스 및 연결 열 방출을 모델링할 때 정확도를 높이기 위한 요소를 살펴봅니다. Simcenter T3STER 및 모델 보정과 함께 Simcenter Flotherm의 열 시뮬레이션을 사용한 IGBT 모듈 열 측정을 설명합니다.
