Caracteriza el rendimiento térmico, eléctrico y radiométrico o fotométrico del LED mediante una estación de pruebas de medición precisa que admita el diseño térmico de iluminación LED.
Describe con precisión las propiedades térmicas de LED mediante una estación integrada de pruebas térmicas, fotométricas y radiométricas.
Combina pruebas térmicas, radiométricas y fotométricas de LED
Junto con el hardware de caracterización térmica Simcenter Micred LED Tester, la etapa de pruebas controlada por temperatura Simcenter Micred LED Tester forma una estación combinada de pruebas eléctricas, térmicas y radiométricas o fotométricas para LED y módulos LED. De este modo se crean modelos compactos multidominio que se pueden utilizar en el software de diseño térmico Simcenter.
Cumple los estándares
Estas soluciones para la realización de pruebas de LED se ajustan a los estándares JEDEC JESD51-52, así como a los informes técnicos CIE 127:2007 y 225:2017. La resistencia térmica real y las métricas de resultados lumínicos se calculan en función de la temperatura de unión LED real en un amplio espectro de corrientes directas. El proceso está totalmente automatizado. Los espectrorradiómetros de terceros capturan espectros de emisión y proporcionan datos adicionales para el modelado preciso de las propiedades de los resultados lumínicos del paquete LED en el diseño de iluminación.
Lee este informe técnico y descubrirás el papel de la medición de transitorios térmicos para caracterizar el comportamiento térmico de los semiconductores.
Gracias a la familia de soluciones de hardware de caracterización térmica, los proveedores de sistemas y componentes podrán, de manera precisa y eficaz, probar, medir y caracterizar térmicamente paquetes de circuitos integrados de semiconductores, LED individuales y grupales, paquetes apilados y de troqueles múltiples, módulos de potencia electrónicos, propiedades del material de interfaz térmica (TIM) y sistemas electrónicos integrales.
Nuestras soluciones de hardware miden directamente las curvas reales de calentamiento o enfriamiento de dispositivos semiconductores empaquetados de forma continua y en tiempo real, en lugar de crearlas de forma artificial a partir de los resultados de varias pruebas individuales. Es mucho más eficiente y preciso medir la verdadera respuesta térmica transitoria de esta manera, lo que produce métricas térmicas más precisas que los métodos de estado estable. Las mediciones solo se deben realizar una vez por cada muestra, en lugar de repetirse y realizar el promedio como en los métodos de estado estable.