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Simcenter Micred T3STER

Realiza la caracterización térmica de dispositivos semiconductores empaquetados con tecnología de pruebas de transitorios térmicos de alta precisión y repetibilidad y análisis de función estructural.

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Representación de Simcenter T3STER, medidor de transitorios térmicos.

Ventajas de Simcenter Micred T3STER

Simcenter Micred T3STER es un comprobador de transitorios térmicos no destructivo para la caracterización térmica de dispositivos semiconductores (diodos, transistores de unión bipolar BJT, transistores de potencia MOSFET, IGBT y LED de potencia) y dispositivos de troqueles múltiples empaquetados. Mide la verdadera respuesta del transitorio térmico de manera más eficiente que los métodos de estado estable. Las mediciones son de ±0,01 °C, con una resolución de hasta un microsegundo de tiempo. Por otra parte, las funciones estructurales realizan un posprocesamiento de la respuesta en un ploteo que muestra la capacidad y resistencia térmicas de las funciones de empaquetado a lo largo de toda la trayectoria del flujo de calor. Simcenter Micred T3STER es una herramienta ideal para la detección de fallos previos y posteriores al esfuerzo. Las mediciones se pueden exportar para realizar una calibración del modelo térmico, lo cual afianza la precisión del esfuerzo del diseño térmico.

Obtén resultados más rápidos con una sola prueba
Simcenter Micred T3STER es fácil de usar y rápido. Produce resultados totalmente reproducibles, por lo que cada prueba solo se necesita realizar una vez. Simcenter Micred T3STER prueba los circuitos integrados empaquetados usando únicamente conexiones eléctricas para alimentación y detección, lo que proporciona resultados rápidos y repetibles y elimina la necesidad de realizar múltiples pruebas en la misma pieza. Los componentes se pueden probar in situ y los resultados de las pruebas se pueden utilizar como un modelo térmico compacto o para calibrar un modelo detallado.

Prueba todo tipo de semiconductores empaquetados
Se pueden probar prácticamente todos los tipos de semiconductores empaquetados, desde diodos de potencia y transistores hasta circuitos integrados digitales grandes y altamente complejos, incluidas las piezas que se montan en una placa e incluso se empaquetan en un producto.

En resumen, se inyecta un pulso de potencia en el componente y su respuesta de temperatura se registra con mucha precisión con respecto al tiempo. El semiconductor se utiliza tanto para alimentar la pieza como para detectar la respuesta de temperatura mediante un parámetro sensible a la temperatura en la superficie del troquel, como un transistor o una estructura de diodo.

Accede a software confiable
El software suministrado con Simcenter Micred T3STER proporciona gran parte del valor de la solución. Esto se debe a que el software Simcenter Micred T3STER puede tomar el rastro de temperatura con respecto al tiempo y convertirlo en lo que se conoce como una función de estructura. Las características discretas del paquete, como la fijación de troquel, se pueden detectar en esta gráfica, lo que convierte a Simcenter Micred T3STER en una excelente herramienta de diagnóstico para el desarrollo de productos. La gráfica también se puede utilizar para calibrar un modelo térmico 3D detallado en Simcenter Flotherm, creando así un modelo térmico de un paquete de chips que predice la temperatura tanto en el espacio como en el tiempo con un 99+ % de precisión.

Consiga mayor precisión en la simulación del enfriamiento electrónico con mediciones y calibración

Este libro blanco considera varios factores con el fin de obtener mayor precisión de la disipación térmica para el modelado de trazo y conexión en la simulación Ilustra la medición térmica de un módulo IGBT usando Simcenter T3STER y calibración del modelo junto a la simulación térmica en Simcenter Flotherm.

Funcionalidades de Simcenter T3STER

Pruebas térmicas

Gracias a la familia de soluciones de hardware de caracterización térmica, los proveedores de sistemas y componentes podrán, de manera precisa y eficaz, y mediante la realización de pruebas de componentes in situ, probar, medir y caracterizar térmicamente paquetes de circuitos integrados en el semiconductor, LED individuales y grupales, paquetes apilados y de troqueles múltiples, módulos de dispositivos electrónicos, propiedades del material de interfaz térmica (TIM) y sistemas electrónicos integrales.

Nuestras soluciones de hardware miden directamente las curvas reales de calentamiento o enfriamiento de dispositivos semiconductores empaquetados de forma continua y en - tiempo real, en lugar de componerlas artificialmente a partir de los resultados de varias pruebas individuales. Es mucho más eficiente y preciso medir la verdadera respuesta térmica transitoria de esta manera, lo que produce métricas térmicas más precisas que los métodos de estado estable. Las mediciones solo se deben realizar una vez por cada muestra, en lugar de repetirse y realizar el promedio como en los métodos de estado estable.

Más información sobre las pruebas térmicas

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Imagen del hardware de Simcenter Micred Powertester
Informe técnico

Caracterización térmica de componentes electrónicos complejos

Lee este informe técnico y descubrirás el papel de la medición de transitorios térmicos para caracterizar el comportamiento térmico de los semiconductores.

Chip de procesamiento conectado con una placa de circuito