Simcenter Micred T3STER

Simcenter Micred T3STERは、半導体パッケージ・デバイス (ダイオード、BJT、パワーMOSFET、IGBT、パワーLED) やマルチダイ・デバイスの熱特性を評価できる非破壊的な最先端過渡熱試験装置です。定常状態の測定方法よりも効率的に、真の過渡熱応答を測定します。熱パラメーターは、温度分解能±0.01°C、時間分解能1μsで測定されます。また、構造関数を使って応答値をプロットするポスト処理により、パッケージの熱抵抗と熱容量を熱流路に沿って示すことができます。Simcenter Micred T3STERは、理想的な応力前後故障検出ツールです。測定結果をエクスポートして熱モデルを校正できるため、熱設計の精度はさらに改善します。

たった1回の試験でより迅速に結果を得る
Simcenter Micred T3STERは使いやすく、高速です。完全に再現可能な結果が得られるため、各試験は一度実行するだけで済みます。Simcenter Micred T3STERでは、電源供給とセンシングのための電気的接続のみを使用してパッケージ化されたICを試験し、高速で再現性のある結果を取得できるため、同じ部品に対して複数の試験を行う必要がありません。コンポーネントはその場で試験でき、試験結果はコンパクトな熱モデルとして、または詳細なモデルの校正に使用できます。

すべてのタイプの半導体パッケージを試験
パワー・ダイオードやトランジスタから、大規模で非常に複雑なデジタルIC (ボードに実装され、1つの製品にパッケージ化された部品を含む) まで、事実上すべてのタイプの半導体パッケージを試験できます。

つまり、電力パルスがコンポーネントに注入され、その温度応答が時間に対して非常に正確に記録されます。半導体自体は、部品への電力供給と、トランジスタやダイオード構造などダイ表面の感温性パラメーターを使用した温度応答のセンシングの両方に使用されます。

信頼性の高いソフトウェアにアクセス
Simcenter Micred T3STERで提供されるソフトウェアには、このソリューションの価値の多くが凝縮されています。Simcenter Micred T3STERソフトウェアは、温度対時間のトレースを取得し、それを構造関数と呼ばれるものに変換できるためです。製品開発における診断ツールとして、Simcenter Micred T3STERの優れた点は、このプロットで、ダイアタッチなど、パッケージの個別の特徴を検出できることです。またこのプロットは、Simcenter Flothermで詳細な3D熱モデルを校正するために使用できます。この際、空間と時間の両方で、99+%の精度で温度を予測するチップ・パッケージの熱モデルを作成できます。

熱試験

コンポーネントとシステムのサプライヤーは、この熱特性評価用ハードウェア製品ファミリを使用して、半導体ICパッケージ、LED単体、LEDアレイ、積層ダイ/マルチダイのパッケージ、パワー・エレクトロニクス・モジュール、サーマル・インターフェース・マテリアル (TIM) の熱特性だけでなく、電子機器システム全体の熱特性も正確かつ効率的に試験、測定、評価することができます。

シーメンスのハードウェア・ソリューションは、いくつかの個別の試験の結果から人為的に構成するのではなく、パッケージ化された半導体装置の実際の加熱曲線または冷却曲線を連続的かつリアルタイムで直接測定します。この方法で真の熱過渡応答を測定することは、定常状態での測定方法よりもはるかに効率的で正確であり、より高精度の熱メトリクスを取得できます。測定では、定常状態での測定方法のように繰り返し実行して平均を取るのではなく、試料ごとに1回実行するだけで済みます。

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