Simcenter 고주파 전자기를 사용하여 엔지니어는 안테나 및 와이어 하네스 모델을 개발할 수 있습니다. 관련 CAD와 함께 Simcenter 3D 그래픽 인터페이스에서 고주파 장치를 설계하고 최적화할 수 있습니다. 복잡한 재료, 요소 특성, 경계 조건 및 가진을 정의합니다.
복잡성 모델링
Simcenter 3D 전자기를 사용하면 길이 스케일이 다양한 모델(대형 시스템에 통합된 소형 안테나)에 대해 초대형 문제(큰 전기적 크기)를 조사할 수 있습니다. 사용자 정의 복합 재료, 요소 특성, 경계 조건 및 가진의 효과를 조사한 다음 개선된 값을 사용하여 연관된 CAD 모델의 설계를 즉시 업데이트할 수 있습니다.
통합 유지
Capital 소프트웨어에서 3D 경로의 자동 생성 및 특성 할당을 통해 와이어 하네스를 직접 가져온 다음 EMC(전자파 적합성) 성능을 해석합니다.
UTD(균일 회절 이론)는 Maxwell 방정식의 점근해를 기반으로 하는 '광선' 방법입니다. UTD는 방사 소스가 치수가 필드 파장보다 훨씬 큰 산란 구조와 상호 작용할 때 적용할 수 있습니다(예: 선박, 차량 또는 공항, 공장, 도시 등과 같은 시나리오 구성). 이러한 가설 하에서, 광학의 경우와 유사하게 전자기 산란은 광선의 전파와 관련된 비교적 간단한 기하학적 법칙에 따라 구조(가장자리, 쐐기, 정점)에 분포된 여러 '핫 포인트'에서의 이산 기여(다른 차수의 반사 및 회절)의 조합으로 설명할 수 있습니다. UTD는 투과 및 반사 계수를 통해 특성화된 실제 재료를 관리합니다.
MoM은 Maxwell 방정식을 근사치없이 이산 형태로 풀고, 문제는 이산화 및 선형 방정식 시스템으로 변환됩니다. 표준(직접) 및 빠른(다단계 고속 다극 알고리즘으로 반복) 솔루션 접근 방식을 모두 사용할 수 있습니다. 다음의 다양한 경계 조건을 관리합니다. EFIE(전기장 적분 방정식), IBC(임피던스 경계 조건), CFIE(결합 적분 방정식) 및 PMCHWT(Poggio-Miller-Chang-Harrington-Wu-Tsai).
전제 조건(예: 다해상도, SPLU, ILUT)는 반복적인 솔루션 접근 방식의 수렴 속도를 높입니다. 저주파 안정화 방법(S-PEEC 공식)은 저주파 오차 문제(조절이 심각하게 잘못된 선형 시스템)를 해결합니다. 다중 포트 접근 방식은 활성 솔루션 평가에 대한 계산 부담을 최소화합니다. MoM은 복잡한 문제(형상 및 재료 측면에서)에 대해 정확도가 필요하고 방사선원과 산란 구조 간의 상호 작용이 강한 경우에 적합합니다.
IPO(반복적 물리 광학)는 전류 기반 반복 고주파 기술입니다. IPO는 방사원과 치수가 필드 파장보다 큰 산란 구조(예: 안테나 반사경, 레이돔, 차량 등) 간의 상호 작용을 평가하는 데 적용할 수 있습니다. 산란 메커니즘에 대한 설명과 반복 프로세스 채택에 등가 정리를 적용하면 광선 추적에 의존하지 않고 복잡한 시나리오에서 객체 간의 상호 작용을 재구성할 수 있습니다. 계산 능력은 최첨단 기술, 즉 GPU 컴퓨팅, 원거리장 근사(Fast Far-Field Approximation) 알고리즘 및 반복 이완 기술을 활용하여 최적화 됩니다. 얇은 시트 및 임피던스 경계 조건 제형을 사용할 수 있습니다.
와이어 하네스 EMC 성능 해석을 수행하고 다중 도체 전송 라인 네트워크를 해석하여 번들 내 및 번들 간 방출, 민감성 및 누화를 개선합니다.
