Caratterizza le prestazioni termiche, elettriche e radiometriche/fotometriche dei LED utilizzando una stazione di test di misurazione accurata che supporta la progettazione termica dell'illuminazione a LED.
Descrivi accuratamente le proprietà termiche dei LED utilizzando una stazione di test termica, fotometrica e radiometrica integrata.
Combina test termici, radiometrici e fotometrici dei LED
Insieme all'hardware di caratterizzazione termica Simcenter Micred LED Tester, lo stadio di test a temperatura controllata Simcenter Micred LED Tester forma una stazione di test combinata elettrica, termica e radiometrica/fotometrica per LED e moduli LED. In questo modo vengono creati modelli compatti multidominio che possono essere utilizzati nel software di progettazione termica Simcenter.
Conformità agli standard JEDEC
Queste soluzioni di test per LED sono conformi allo standard JESD51-52 dello JEDEC e alle indicazioni delle relazioni tecniche CIE 127:2007 e 225:2017. Le metriche effettive relative alla resistenza termica e all’emissione luminosa sono misurate in funzione della reale temperatura di giunzione dei LED in un ampio intervallo di corrente diretta. Il processo è completamente automatizzato. Gli spettroradiometri di terze parti aiutano a catturare gli spettri di emissione, fornendo ulteriori input per la modellazione precisa delle proprietà di emissione luminosa del pacchetto LED nella progettazione illuminotecnica.
Leggi questo white paper e scopri il ruolo della misurazione dei transitori termici per caratterizzare il comportamento termico dei semiconduttori.
La famiglia di soluzioni hardware per la caratterizzazione termica offre ai fornitori di componenti e sistemi la possibilità di testare, misurare e caratterizzare termicamente in modo accurato ed efficiente pacchetti di circuiti integrati a semiconduttore, LED singoli e allineati, pacchetti impilati e multi-die, moduli elettronici di potenza, proprietà dei materiali di interfaccia termica (TIM) e sistemi elettronici completi.
Le nostre soluzioni hardware misurano direttamente le curve effettive di riscaldamento o raffreddamento dei dispositivi a semiconduttore confezionati, in modo continuo e in tempo reale, piuttosto che comporle artificialmente dai risultati di diversi test individuali. La misurazione della reale risposta dei transitori termici in questo modo è molto più efficiente e accurata e consente di ottenere metriche termiche più precise rispetto ai metodi allo stato stazionario. Le misurazioni devono essere eseguite solo una volta per campione, piuttosto che ripetute e una media presa come con i metodi allo stato stazionario.